【摘 要】
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研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来
【机 构】
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中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,中国工程物理研究院电子工程研究所,电子科技大学电子科学与工程学院
【基金项目】
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the National Key R&D Program of China Grant(2018YFB1801504),President Funding of China Academy of Engineering Physics with No.YZJJLX2018009
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研究了基于肖特基二极管的单路和功率合成式110 GHz大功率平衡式二倍频器。单路倍频器电路具有33%的峰值测试效率,且其工作带宽超过13.6%。另外,采用了不同的双路合成结构来实现两种不同的合成式110 GHz倍频器。该功率合成式倍频器在两只127μm厚的ALN基片上焊接了四个分立的肖特基二极管。在800 mW的驱动功率下,两种合成式倍频器都测得了大于200 mW的输出功率,证明了利用该合成式倍频结构可实现更高输出功率。
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