恩智浦将推出50种采用SiGe:CBiCMOS工艺技术的射频/微波产品

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恩智浦半导体(NXP)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品.旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe:C技术的产品.其QUBiC4SiGe:C工艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围,专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。
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