【摘 要】
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在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的
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在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射（XRD）测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品（Ag/PZT/LNO结构）的铁电性能.结果表明：（1）溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈（111）、（200）取向;
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