MOCVD生长的GaN：Mg外延膜的光电性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：glacier000

【摘要】

：

用MOCVD技术生长GaN：Mg外延膜，在550～950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试．Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8×10^17cm^-3以上，电阻率

【作者】

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王莉莉张书明杨辉梁骏吾

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年1期

【关键词】

：

霍尔效应光致发光 P型GAN Hall effect photoluminescence p-GaN

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（批准号：60506001,60576003,60476021）

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用MOCVD技术生长GaN：Mg外延膜，在550～950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试．Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8×10^17cm^-3以上，电阻率降到0．8Ω·cm以下．室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2．8eV的蓝光峰（BL）以及3．27eV附近的紫外峰（UVL）．蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL／UVL）在550℃退火后升高，之后随着退火温度的升高（650-850℃）而下降，继续提高退火温度至950℃，BL／U

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