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通过对SIT器件研制的大量实验,研制了SiH_4同步外延工艺对SIT器件主要电学数(BV_(GSO),BV_(GDO)和 G_m 等)的影响,认为该器件的栅源击穿电压 BV_(GSO) 和跨导 G_m 强烈地依赖于同步外延的生长条件(生长温度,时间及 SiH_4∶PH_3∶H_2流量比),而栅漏击穿电压 BV_(GDO)主要取决于扩硼后的单結特性,SiH_4同步外延生长条件对其影响不大.最后找到了这种器件电学参数值所要求的 SiH_4同步外延的稳定生长条件.