【摘 要】
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使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列。其中,纳米线的直径为10~20 nm,纳米棒的直径为60~160 nm,二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从
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使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列。其中,纳米线的直径为10~20 nm,纳米棒的直径为60~160 nm,二者混合在一起垂直生长于衬底表面。从衬底的上游到下游位置,混合阵列中纳米线的含量逐渐下降,纳米棒逐渐增多。室温光致发光测试发现尺寸较小的纳米线阵列的紫外光发光强度比大尺寸纳米棒阵列高约5倍。持续激发光照射下,纳米线阵列的发光强度逐渐上升,停止光照后又逐渐下降到初始值,这可以用纳米线表面O2分子的解吸附和吸附过程来理解。
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