【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100,济南250100,济南250100
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采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 .制备的器件不但具有非常好的直流特性 ,而且还表现出良好的微波特性 ,其结果与能带理论的预言一致 ,DHBT集电结和发射结的电流理想因子分别为 1.0 0和 1.0 6 ,击穿电压高达 15 V,电流放大增益截止频率超过 10 0 GHz
The InP / Ga As0 .5Sb0.5 / InP double heterostructure transistor (DHBT) was grown by metal organic chemical vapor deposition (CVD) to study the effect of material quality on the performance of the device. The prepared device not only has very good DC characteristics , But also shows good microwave characteristics. The results are consistent with the predictions of band theory. The current ideality factors of DHBT collector junctions and emitter junctions are 1.0 0 and 1.0 6, respectively. The breakdown voltage is up to 15 V, and the current amplification gain is cut off Frequency exceeds 10 0 GHz
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