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作为宽带半导体中发展最为成熟的SiC器件,是目前半导体领域最受人关注的热点器件和前沿研究领域之一,其在大功率、高频、耐高温、抗辐射和抗腐蚀等方面具有的巨大应用潜力,使其成为潜在的高功率、耐高温、抗辐射性能强的新一代功率半导体器件。
新一代碳化硅器件渐入佳境
【摘 要】
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作为宽带半导体中发展最为成熟的SiC器件,是目前半导体领域最受人关注的热点器件和前沿研究领域之一,其在大功率、高频、耐高温、抗辐射和抗腐蚀等方面具有的巨大应用潜力,使
【机 构】
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电子科技大学微电子研究所
【出 处】
：
世界产品与技术
【发表日期】
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2000年6期
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