【摘 要】
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为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,
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为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,然后利用离子化金属电浆(IMP)溅镀法填充通孔,最后用Cu/Sn混合凸点互连芯片和基板,从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试,结果表明,100μm2Cu/Sn混合凸点接触电阻约为6·7mΩ,高90μm的斜通孔电阻在20~30mΩ,该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。
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