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目的：实用化电阻抗断层成像（EIT）系统的测量分辨率（MR）和信噪比（SNR）等性能通常与EIT方法学研究中的理想仿真条件相差甚远。针对MR和SNR对EIT成像的影响开展仿真研究。方法基于对理想仿真条件下相邻激励-相邻测量的边界电压测量数据，分别模拟MR为0.1 mV和0.01 mV时，SNR分别为40~80 dB的实用化EIT系统和无噪声系统，采用Tikhonov-Noser组合正则化算法对不同位置目标A、B、C成像，引入图像重建误差（ER）函数和图像结构相似度（SSIM）函数定量评价成像结果。结果在本研究条件下，MR为0.01 mV时可成像的实用化EIT系统SNR至少要40~50 dB。对目标A、B、C的高质量成像SNR分别需要达到80、70、60 dB。 MR为0.1 mV时系统SNR分别要达到60、50、40 dB方可对A、B、C成像，且提高SNR对成像质量的改善不如MR为0.01 mV时明显。结论盲目追求更高的SNR除了增加系统构建难度，对系统整体性能和成像质量改善的意义将不明显。建议对MR为0.01 mV和0.1 mV的系统，与之相匹配的系统SNR应分别选择为50~60 dB和60~70 dB。