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通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强,而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰,其衰减时间为10μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强,认为是低价Bi离子发光所致。