【摘 要】
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基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,电子科技大学电子科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61601468),中央高校基本科研业务费项目中国民航大学专项(3122017087),中国民航大学科研启动基金项目(2016QD01X)
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基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45GHz信号作为本振信号源,射频80~89GHz与91~100GHz的频带范围内变频损耗低于17dB,最低变频损耗为12dB;1dB压缩功率大于11dBm。仿真结果显示,80~89GHz与91~100GHz的镜频抑制效果
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