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玉米脱镁叶绿酸氧化酶基因ZmPAO表达与叶绿素含量动态变化的关联分析
【出 处】
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植物营养与肥料学报
【发表日期】
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2019年07期
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随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,热载流子注入效应对不同宽长比NMOSFETS参数退化的影响。本文使用衬底电流模型,在三组应力条件下研究器件参数的退化。通过设定失效判据,进行NMOSFETS加速寿命试验,试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值,加速寿命试验过程终止。整个测试过程由程序控制,使用方便,适
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