【摘 要】
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采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件。在此基础上探讨了Nb2O5和La2O3作为单、双施主掺杂对S
【机 构】
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广西大学计算机与电子信息学院,广西大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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广西科技攻关项目(桂科攻033003-6)
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采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件。在此基础上探讨了Nb2O5和La2O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响。研究结果表明,双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3功能陶瓷半导化,而且对显微结构有重要的影响。在x(Nb2O5)∶x(La2O3)=0.6∶0.2时可获得性能较好的半导体材料。相比于气氛烧结工艺,真空烧结同样可以得到性能优良的SrTiO3功能陶瓷材料。
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