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以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层，以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层，以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极，成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测试表明，在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为0．079cm^2／V·S，器件的开关电流比为1．7×10^4．
聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管
【摘 要】
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以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层，以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层，以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极，成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测试表明，在源漏电
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,湖南科技大学物理学院
【出 处】
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光电子.激光
【发表日期】
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2008年2期
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