【摘 要】
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为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了（100）硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究。研究KOH摩尔比、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,昆明物理研究所,玉溪师范学院信息技术工程学院
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为了制备高性能铁电厚膜红外探测器,对硅材料的各向异性腐蚀机理及特性进行了探讨,开展了（100）硅片湿法各向异性腐蚀工艺研究。研究KOH摩尔比、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响。在KOH与IPA混合腐蚀液腐蚀系统中,氢气泡可以快速的脱离硅表面,使得硅表面的形貌得到改善。结果表明：Si（100）面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大,选用KOH质量分数为34%、11%的IPA,在80℃、1.5 h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面,可以制备质量较好的微桥结构。
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