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采用溶胶-凝胶（Sol—Ga）法，利用旋转涂覆技术在玻璃衬底及单晶Si（111）衬底上制备掺Zn2＋的MgO薄膜。使用紫外可见光分光光度计测定掺杂薄膜的透过率，并采用XRD和EDS等测试手段研究薄膜的晶向结构和成分。结果表明，胶棉液的含量对成膜质量有重要的影响；随着Zn2＋掺杂量的提高，薄膜透过率先增大后减小，在掺杂量为10％时，薄膜有最佳透过率；随着退火温度的升高，薄膜晶粒生长没有出现明显的择优取向。最后，对模拟放电单元进行放电测试，结果表明，在掺杂量为10％时，薄膜有最低着火电压和最高的记忆系数。