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采用反应离子刻蚀（RIE）技术，对EPG535光刻胶和碲锌镉（CZT）基体刻蚀工艺进行研究，采用原子力显微镜（AFM）法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量，探讨了EPG535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明，当RF功率为60w、氧气气压为1．30Pa、氧气流量为40cm^3／rain，光刻胶达到最大刻蚀速率；随着RF功率降低，刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为：RF功率40W、氧气气压1．30Pa、氧气流量40cm^3／min。