窄禁带半导体光电二极管的最新进展(上)

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当前红外探测器的许多研究工作是致力于改进单元器件和大规模电子扫描列阵器件的性能,致力于获得较高的探测器工作温度。研究工作的另一个重要目标是促使这些红外探测器价格更便宜,使用更方便。本文提出了窄禁带半导体光电二极管性能的调研情况,讨论了各种红外光电二极管技术的最新进展,这些器件是:HgCdTe光电二极管、InSb光电二极管、可替代HgCdTe的由Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族元素组成的三元合金光电二极管,以7及单片硫化铅一类的光电二极管。调查了这些光电二极管的性能,它们的工作波段包括:短波红外(SWIR):1μm-3μ
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