GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

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【摘要】

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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向

【作者】

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方文卿李述体刘和初江风益

【机构】

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南昌大学,江西方大福科信息材料有限公司

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

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硅扩散氮化镓电化学电容电压 silicon diffusion GaN ECV

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划(863计划)

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采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考.还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1 030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度.该结果可为GaN外延层结构设计提供参考.

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