半导体激光器发射光谱中的边模存在恶化了其光束质量，严重限制了其在通信领域中的应用。本文基于分布布拉格反射器（DBR）半导体激光器中光栅的占空比、耦合系数、材料折射率三者之间的关系，研究了光栅占空比分布对边模抑制的影响，同时对矩形均匀光栅和矩形渐变占空比光栅结构的边模进行分析与比较。优化了DBR光栅结构，分析了矩形均匀光栅与锥形渐变占空比光栅结构的旁瓣强度大小。利用时域有限差分法（FDTD）对器件结构进行仿真模拟，在光栅占空比呈不同函数分布下，分析了光栅的占空比和反射率的关系，并讨论了渐变占空比光栅反射峰值与光栅长度的关系。结果表明，渐变占空比光栅相比于矩形均匀光栅，边模得到有效抑制。当注入电流为63mA时，在温度300K下，矩形渐变占空比光栅结构的器件边模抑制比达到48dB，并且渐变占空比光栅反射峰值达到96%。通过分析矩形均匀光栅和锥形渐变占空比光栅结构在远场侧向切面上光场的分布，发现利用锥形渐变占空比光栅制作DBR，有助于降低DBR半导体激光器的旁瓣强度。