【摘 要】
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ZnSe 薄膜是制作蓝色发光器件和激光器件的材料,多用汽相外延生长。有机金属汽相外延(OMVPE)能在较低温度下生长晶体,从而改善外延层的结晶完整性和纯度。本工作以二甲基锌
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,西北大学材料科学与工程系 美国
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ZnSe 薄膜是制作蓝色发光器件和激光器件的材料,多用汽相外延生长。有机金属汽相外延(OMVPE)能在较低温度下生长晶体,从而改善外延层的结晶完整性和纯度。本工作以二甲基锌为 Zn 源,硒化氢为 Se 源,氢为载气,GaAs(100)为衬底,在常压下生长 ZnSe 薄膜。
ZnSe thin film is the production of blue light-emitting devices and laser devices, the use of vapor-phase epitaxial growth. Organic metal vapor phase epitaxy (OMVPE) can grow crystals at lower temperatures, thereby improving the crystalline integrity and purity of the epitaxial layer. In this work, ZnSe was prepared using dimethyl zinc as Zn source, Selenium hydrogen as Se source and hydrogen as carrier gas. GaAs (100) substrate was grown under normal pressure.
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