【摘 要】
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以亚微米级(130 nm)碳化硅颗粒(SiCp)和微米级(10 μm)Cu粉为原料,采用冷压烧结和热挤压方法制备出SiCp/Cu基复合材料,研究其SiCp含量对SiCp/Cu基复合材料电学、力学和摩擦学
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以亚微米级(130 nm)碳化硅颗粒(SiCp)和微米级(10 μm)Cu粉为原料,采用冷压烧结和热挤压方法制备出SiCp/Cu基复合材料,研究其SiCp含量对SiCp/Cu基复合材料电学、力学和摩擦学性能的影响.结果表明:当SiCp体积含量从0.5%增高到5.0%时,电导率从96.2%IACS下降到87.4%IACS,维氏硬度从64.8 MPa增高到87.8 MPa,抗拉强度从213.3 MPa增大到217.3 MPa,伸长率从41.5%下降到8.6%;SiCp/Cu基复合材料具有优良的摩擦学性能,0.
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