【摘 要】
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为了揭示Al—C—N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系，本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si（100）基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C—N薄膜。使用X射线光电子能谱仪、X射
【机 构】
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北京科技大学材料物理与化学系,燕山大学材料科学与工程学院,北京航空材料研究院
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为了揭示Al—C—N非晶薄膜的结构、导电性以及它们之间的关系，本文采用非平衡磁控溅射沉积技术在Si（100）基体上沉积得到了不同Al含量的Al-C—N薄膜。使用X射线光电子能谱仪、X射线衍射和高分辨透射电镜研究了所制备薄膜的相组成和微观结构。采用四引线法测定了薄膜电阻率-温度关系和霍尔电阻率-磁场关系。实验结果表明，所制备薄膜为非晶结构，结构致密，没有明显的缺陷，薄膜中主要的化学键为C-N，C-C和Al—N键。薄膜的成分对其导电性能有着明显的影响，当Al含量较低时，Al—C-N薄膜为P型半导体；当Al含量
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