【摘 要】
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由于法国的一个研究小组制造出首只Si(110)上氮化物LED,光电子与Si电子集成又向前迈上了另一级台阶。尽管这方面还未被制造Si(100)衬底CMOS电路的Si片制造商所应用,但它已受
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由于法国的一个研究小组制造出首只Si(110)上氮化物LED,光电子与Si电子集成又向前迈上了另一级台阶。尽管这方面还未被制造Si(100)衬底CMOS电路的Si片制造商所应用,但它已受到包括IBM和Sematech在内的一些研究团队的关注。在Si(110)上生长的沟道输运特性优异的先进CMOSFETs可使
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