【摘 要】
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采用等离子体发射光谱法测定了在掺入Ce4+不同浓度条件下所生长的Ce4+∶ KTP晶体中的Ce4+含量,并计算出Ce4+在相应晶体生长体系中的分配系数;采用激光粉末倍频法对晶体进行了
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采用等离子体发射光谱法测定了在掺入Ce4+不同浓度条件下所生长的Ce4+∶ KTP晶体中的Ce4+含量,并计算出Ce4+在相应晶体生长体系中的分配系数;采用激光粉末倍频法对晶体进行了倍频效应测试,并将所得数据与纯KTP晶体做了比较,发现在给定的掺质浓度范围内,晶体的倍频效应均有所增强,且倍频效应随晶体中掺质含量的增大而先增强,后减弱,文中对这种现象进行了讨论.
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