论文部分内容阅读
针对40Gb／s高速过渡热沉阻抗匹配的要求，对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究．根据过渡热沉的等效电路模型，分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响，并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围．利用磁控反应溅射技术，制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜．通过优化高温退火条件，将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10^-6·Ωcm^2量级．在此基础上，制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb／s光电子器件封装的高速过渡热沉．