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采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压PECVD技术制备纳米碳化硅/氮化镓固溶晶薄膜.经过透射电镜观察,形状为微丘陵状,晶粒径在3～16 nm范围,垂直衬底生长,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合.拉曼光谱与4H-多型SiC范围相似.并出现晶态氮化镓的特征峰.这表明制备出纳米碳化硅/氮化镓固溶晶薄膜.
纳米氮化镓／碳化硅固溶晶薄膜电子微结构
【摘 要】
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采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压PECVD技术制备纳米碳化硅/氮化镓固溶晶薄膜.经过透射电镜观察,形状为微丘陵状,晶粒径在3～16 nm范围,垂直衬底生长,其宽化衍射环与单晶碳
【机 构】
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华中科技大学电子科学与技术系,华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2002年2期
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研项目，湖北省自然科学基金，湖北省科研项目，湖北省武汉市科技攻关项目
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