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首先介绍了多层弯曲磁微执行器的基本工作原理。根据磁路定律和等效磁荷方法，提出了考虑边缘漏磁效应的执行器工作的宏模型。计算结果与ANSYS模拟和已有的实验结果进行了比较。该宏模型可以在设计执行器时应用。
多层弯曲磁微执行器的宏模型
【摘 要】
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首先介绍了多层弯曲磁微执行器的基本工作原理。根据磁路定律和等效磁荷方法，提出了考虑边缘漏磁效应的执行器工作的宏模型。计算结果与ANSYS模拟和已有的实验结果进行了比较
【机 构】
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东南大学MEMS教育部重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年3期
【基金项目】
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