【摘 要】
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本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加，漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺
【机 构】
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东北石油大学电子科学学院,哈尔滨师范大学物理系
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本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器。分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响。随着SnO2含量的增加，漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3．0mol％时达到极大值。通过适当的掺杂，得到了漏电流为0．08uA，非线性系数为80．3，压敏电压为1006．7V 1 mA／mm性能良好的ZnO变阻器。
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