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本文利用射频磁控溅射法在200℃的玻璃衬底上沉积了纳米晶PbSe薄膜，薄膜厚度分别为200nm、250nm、500nm及600nm。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）及紫外一可见分光光度计，分别研究了不同厚度PbSe薄膜的晶体结构、表面形貌和光学特性。结果表明：随膜厚增大，PbSe（200）晶面的择优取向显著增强，薄膜的结晶质量逐渐提高。此外，随薄膜厚度增加吸收边发生红移。膜厚为200nm、250nm时，薄膜的禁带宽度为1．89eV和1．60eV；膜厚较大（500nm及600nm）时，带隙