【摘 要】
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日本富士通研究所报导了一种首次用于5 Gb/s远距传输实验而不产生背景误差和只有很少色散的单片器件。由于非正常再生长所产生的不完善钮接妨碍了其它单片器件的高功率运转。该所研究人员通过在导引层上引进一种含有InP薄蚀刻顶层新结构而解决了上述问题。结果，这种单片高功率电吸收调制器/分布 反馈激光源的总输出功率达5 mW，这是迄今报导的最高功率。
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日本富士通研究所报导了一种首次用于5 Gb/s远距传输实验而不产生背景误差和只有很少色散的单片器件。由于非正常再生长所产生的不完善钮接妨碍了其它单片器件的高功率运转。该所研究人员通过在导引层上引进一种含有InP薄蚀刻顶层新结构而解决了上述问题。结果，这种单片高功率电吸收调制器/分布 反馈激光源的总输出功率达5 mW，这是迄今报导的最高功率。
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