HIGH ENERGY NITROGEN ION IMPLANTED SOI TECHNOLOGY

来源 :中国科学院研究生院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kongling54321

【摘要】

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Buried Si3N4 layer is formed by hitrogen ion implanted silicoh with high energy （400Key） and high dose (1×1018/cm2</sup

【出处】

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中国科学院研究生院学报

【发表日期】

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1989年2期

【关键词】

：

IMPLANTED annealing INSULATOR INDUCING WAFER INSULATOR RUTHERFORD buried Electro

【基金项目】

：

The project supported by National Natural Science Foundation of China,partly by USTC Foundation

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Buried Si3N4 layer is formed by hitrogen ion implanted silicoh with high energy （400Key） and high dose (1×1018/cm2). The unimplanted single crystal zone is us

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