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介绍了基于InOx纳米岛／C的栅控薄膜电子发射阴极，并对其制备工艺和发射性能进行讨论。引入射频溅射的ZnO作为通道层，并在其上沉积InOx纳米岛以及无定型碳薄膜层。InOx纳米岛状结构引入了InOx／C复合活性层的不均匀性；在栅极以及源漏极电压的作用下，当有足够的传导电流通过InOx／C复合层时，通过电流热效应作用，复合层的某些导电通道被烧断，形成电子发射区域。本结构可以通过栅极电压来控制传导电流的有无，从而控制阴极电子发射的有无。