【摘 要】
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研究新型10kV电压等级的碳化硅场效应晶体管结构,具有碳化硅MOSFET的高频工作特性以及IGBT器件的大电流导通能力。在传统碳化硅MOSFET结构的基础上,在器件底部漏极区加入了间
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研究新型10kV电压等级的碳化硅场效应晶体管结构,具有碳化硅MOSFET的高频工作特性以及IGBT器件的大电流导通能力。在传统碳化硅MOSFET结构的基础上,在器件底部漏极区加入了间隔式的集电极区。在小电流情况下,电流从漏极区域流通,器件为单极型器件,拥有出色的高频性能。在大电流情况下,集电极区PN结导通,器件开启类IGBT器件的双极型模式,显著降低器件正向导通电阻。
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