不同晶型CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yd2846996

【摘要】

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采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.

【作者】

：

郝彦忠殷志刚

【机构】

：

河北科技大学理学院,河北科技大学化学与制药工程学院

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

CdSe纳米棒光电化学 CDSE/PMET复合膜电极 CdSe nanorods photoelectrochemistry CdSe/PMeT comp

【基金项目】

：

国家自然科学基金（20573031,20203008）,河北省自然科学基金（202351）,河北省教育厅指导性项目（Z2005203）

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采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征.结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒.并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率（IP.CE）优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE.CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.

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