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为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响，提出了“紫外曝光一倒置热熔”结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模，对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶掩模制备等环节进行了研究。AFM测试结果表明，可以制备占宽比为1：5的光刻胶掩模，远远超出光栅理论设计中对顶角平台尺寸的要求。
小顶角平台硅中阶梯光栅光刻胶掩模制备工艺研究
【摘 要】
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为降低硅中阶梯光栅制作工艺中顶角平台对光栅衍射效率的影响，提出了“紫外曝光一倒置热熔”结合法用于制备具有小占宽比的光刻胶掩模，对中阶梯光栅设计、硅基片准备以及光刻胶
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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长春工业大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2015年3期
【基金项目】
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国家863计划基金资助项目（2010AA1221091001）
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