【摘 要】
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一种阴极短接的MOS栅控晶闸管(CS-MCT)以其极低的导通压降,简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲功率领域。但由于系统对高耐压开关器件的需求不断提高,单个器件的耐压已经无
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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一种阴极短接的MOS栅控晶闸管(CS-MCT)以其极低的导通压降,简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲功率领域。但由于系统对高耐压开关器件的需求不断提高,单个器件的耐压已经无法满足,所以器件串联来提升耐压是一种快速且经济的解决方案。通过对栅极等效电路进行分析,得出了在不影响器件正常导通的情况下适量增大栅极电阻可以提高电路的可靠性。驱动端使用变压器隔离原理,可以有效进行高压隔离并且提高栅极信号同步性。通过对串联电路动态均压进行仿真,得出在每个器件并联RCD吸收电路可以消除由于器件寄生参数不一致而导致的延迟开启
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