【摘 要】
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从垂直腔面发射的半导体激光器(VCSELs)的结构出发,利用增益与载流子密度的广义对数关系,借助小信号分析法,推出了直接调制情形下弛豫振荡频率的严格解析关系.分析指出,量子
【机 构】
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西南交通大学计算机与通信工程学院,电子科技大学光电子技术系
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从垂直腔面发射的半导体激光器(VCSELs)的结构出发,利用增益与载流子密度的广义对数关系,借助小信号分析法,推出了直接调制情形下弛豫振荡频率的严格解析关系.分析指出,量子阱器件的光子寿命并非越短越好,欲提高VCSELs的弛豫振荡频率,除了增加注入电流,提高微分增益等基本途径外,控制器件的结构参数可使弛豫振荡频率达到极大值.同时,自发辐射因子的可控性,以及降低稳态载流子密度,也都是提高VCSELs弛豫振荡频率和拓宽调制带宽的有效措施.
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