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美国佐治亚理工学院的三位中国科学家2001年初利用高温气体固相法，首次合成了半导体化合物纳米带状结构。是继发现多壁碳纳米管和合成单壁纳米管以来，一维纳米材料合成领域的又一大突破。它的横截面是窄矩形结构，带宽为30～300mm，厚度为5—10nm，长度可达几毫米，是迄今为止合成的惟一具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构。