【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一原理方法,研究了合金化对γ-TiAl合金（111）表面氧吸附的影响机理。结果表明,氧于γ-TiAl基合金表面的吸附是化学吸附,Nb与Si共同掺杂使吸
【机 构】
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沈阳师范大学物理科学与技术学院,中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室
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采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一原理方法,研究了合金化对γ-TiAl合金（111）表面氧吸附的影响机理。结果表明,氧于γ-TiAl基合金表面的吸附是化学吸附,Nb与Si共同掺杂使吸附更容易发生。氧与表面Al和Ti间同时存在共价和离子键作用。且总的作用差别并不大,这就使得TiAl金属间化合物氧化时,能够同时生成TiO2和Al2O3。同时Si直接与氧发生氧化生成的SiO2与Al2O3层一起阻碍内氧化的进行。Nb、Si共同掺杂时,Nb主要在基体中起作用,Si主要在表面起作用,两种作用可以叠加,即Nb、Si共
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