【摘 要】
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自热效应是影响GaN HEMT器件特性的一个重要因素.本文我们对比研究了不同衬底的GaN HEMT器件传统封装、倒装结构的热特性,并采用高热导率的碳纳米管改善倒装器件散热.从仿真
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
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自热效应是影响GaN HEMT器件特性的一个重要因素.本文我们对比研究了不同衬底的GaN HEMT器件传统封装、倒装结构的热特性,并采用高热导率的碳纳米管改善倒装器件散热.从仿真结果看,倒装结构对器件的散热能力有一定提升,而碳纳米管又增强了的倒装结构的散热能力.采用碳纳米管的倒装结构使得以蓝宝石,硅和碳化硅为衬底的器件总热阻分别降低了77.1%、50.6%、32.9%.因此,碳纳米管能够改善倒装结构的散热,并增强器件的特性和可靠性.
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