【摘 要】
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目前,a-Si AM LCD 在两个方面已陷入困境。一是制作周期长且过程复杂导致成品率低;二是 a-Si 载流子迁移率极小不能制作行列驱动器。众多的研究者为此绞尽脑汁,至今未获多大
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目前,a-Si AM LCD 在两个方面已陷入困境。一是制作周期长且过程复杂导致成品率低;二是 a-Si 载流子迁移率极小不能制作行列驱动器。众多的研究者为此绞尽脑汁,至今未获多大进展。美国从事 AM LCD 研究的先驱者 T.P.Brody 博士认为 AM LCD 要走出困境,出路在硒化锡(Cdse)。事实上,三端AM LCD最早采用的就是Cdse TFT矩阵的选址形式。在70年代,T.P.Brody所在的westinghouse Labs在当时IC尚制作在3.sem的硅片上时,便开始用
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