超高压4H-SiC pIGBT器件材料CVD外延生长

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【摘要】

：

介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积（CVD）外延生长及其竞位掺杂方法。使用“热壁”CVD外延生长系统，在4英寸4°偏角n^＋型4H-SiC衬底上进行了P型4H-SiC外延层及P型绝缘栅双极

【作者】

：

孙国胜张新和韩景瑞刘丹

【机构】

：

东莞市天域半导体科技有限公司,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

电力电子技术

【发表日期】

：

2017年8期

【关键词】

：

绝缘栅双极型晶体管碳化硅化学气相沉积 insulated gate bipolar transistor silicon carbide chemical

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介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积（CVD）外延生长及其竞位掺杂方法。使用“热壁”CVD外延生长系统，在4英寸4°偏角n^＋型4H-SiC衬底上进行了P型4H-SiC外延层及P型绝缘栅双极型晶体管（p-IGBT）器件用p^-n^＋结构材料生长，利用CandelaCS920表征了100μm厚P型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷．典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷，3种结构缺陷分别是基晶面位错（BPD）、三角形肖克利型层错（SSF）和条形层错（BSF）。微波光电导衰退法（μ-PCD）测试

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