相变光盘介电层ZnS—SiO2薄膜的性能研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:quhongliangs
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利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO2薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO2薄膜为非晶态,表现为层核生长型(Straski-Krastanov型)结构,表面很平滑,其中包含着大小为2~10nm的微小晶粒;ZnS-SiO2薄膜的透过率比较大,消光系数很小,这可以减少入射激光能量的损失;ZnS-SiO2薄膜拥有比较高的折射率,能够对记录层起到很好的保护作用.
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