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利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si<,3>N<,4>钝化膜,实现了芯片的Si<,3>N<,4>薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.
氮化硅钝化膜的制备和应用
【摘 要】
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利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积SiN钝化膜,实现了芯片的SiN薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院(广东广州)中国科学院等离子体物理研究所(安徽合肥)
【出 处】
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第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会
【发表日期】
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2004年11期
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