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异质结双极型晶体管（HBT）是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一．本文提出了一种三指发射极HBT的设计．通过与同一版上两指发射极HBT比较，证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高，并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性．
三指发射极InGaP／GaAs HBT的研制
【摘 要】
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异质结双极型晶体管（HBT）是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一．本文提出了一种三指发射极HBT的设计．通过与同一版上两指发射极HBT比较，证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年9期
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程资助项目（批准号：KGX2-101）.致谢 作者特别感谢王素琴高级工程师、汪宁工程师、刘洪民副研究员、武锦工程师、梁晓新工程师、马晓琳等在工艺以及测试上给予的热情帮助.
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