【摘 要】
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采用液晶E7作为栅介质,聚异靛蓝噻吩乙烯噻吩（PII-TVT）作为半导体,利用光刻/蚀刻技术制备了漏极-源极-栅极（D-S-G）共面的有机场效应晶体管器件,并测试了晶体管性能,对液晶作为栅
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.51573036,No.51703047）, 中央高校基本科研业务费专项（No.JZ2017HGBZ0919）
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采用液晶E7作为栅介质,聚异靛蓝噻吩乙烯噻吩（PII-TVT）作为半导体,利用光刻/蚀刻技术制备了漏极-源极-栅极（D-S-G）共面的有机场效应晶体管器件,并测试了晶体管性能,对液晶作为栅介质应用于有机场效应晶体管进行研究。实验结果表明,器件表现出比较特别的晶体管性能,开关比达到10~3。通过光学显微镜观察发现,施加栅极电压后液晶发生形变,表明栅极电压对电极上的液晶分子的取向排列有较大影响。在施加脉冲栅压时,沟道电流随着脉冲栅压时间的延长而增强。利用液晶分子在电场下发生极化和迟滞作用,可一定程度上模拟突触
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