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用正丁胺作碳源，采用射频辉光等离子系统制备类金刚石碳膜（DLC），沉积在聚合物发光器件中的发光层（MEH-PPV）和铝（Al）阴极间作电子注入层．制备了结构为ITO／MEH-PPV／DLC／Al的不同DLC厚度的器件，测量了器件的，I-V特性、亮度及效率，研究了DLC层对器件电子注入性能影响的机制．结果表明：当DLC厚度小于1．0nm时，其器件有较ITO／MEH-PPV／Al高的启动电压和低的发光效率；当DLC厚度在1．0～5．0nm之间时，器件的性能随着DLC厚度增加而变好；当DLC厚度为5．0nm时，