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通过对成像器件ＧａＡｓ负电子亲合势（ＮＥＡ）光电阴极激活技术的研究，运用分析仪器进行工艺质量在线监测，在大、薄、匀的ＧａＡｓ外延层激活出的台内阴极灵敏度大于１３００μＡ／ｌｍ。
透射式GaAs光电阴极激活技术研究
【摘 要】
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通过对成像器件ＧａＡｓ负电子亲合势（ＮＥＡ）光电阴极激活技术的研究，运用分析仪器进行工艺质量在线监测，在大、薄、匀的ＧａＡｓ外延层激活出的台内阴极灵敏度大于１３００μＡ／ｌｍ。
【机 构】
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西安应用光学研究所
【出 处】
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应用光学
【发表日期】
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2000年4期
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